Транзисторы полевые IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies арт.121612

Название скопировано!

Артикул:

121612

Бренд: Infineon Technologies

Транзисторы полевые IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Гарантия

Доставка

Транзисторы полевые

Артикул:

121612

Артикул скопирован!

Бренд: Infineon Technologies

Характеристики

Описание товара

Доставка и оплата

Аналоги

Технические характеристики

Тип

MOSFET

Тип проводимости

Максимальное напряжение сток-исток, В

100

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм

12,2

Емкость, пФ

2500

Заряд затвора, нКл

Описание

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Напряжение

пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В

Время

задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс

Максимально допустимое напряжение

затвор-исток (Vgs) ± 20 В

Мощность

рассеиваемая (Pd) - 94 Вт

Вес брутто

0.55

Способ монтажа

поверхностный (SMT)

Корпус

TO-252 (DPAK)

Упаковка

REEL, 2500 шт.

Диапазон рабочих температур

-55…+175 °С

Доступны следующие способы доставки заказа

Бесплатная доставка по Москве в пределах МКАД на заказы от 10 000 руб.
Транспортной компанией (отгрузим со своего склада, оплачиваете напрямую транспортной)
Самовывоз со склада Москва, ул. Верейская, д.29, стр. 134

Оплата

Безналичный расчет (для физических и юридических лиц):
Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку и отправить её нам по электронной почте.

Минимальная сумма счета 1000р.

Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем резерв товара на складе и неизменные цены.

Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на расчетный счет ЭК ЗИП: