Транзистор биполярный MJD122T4 ST Microelectronics арт.119801

Название скопировано!

Артикул:

119801

Бренд: ST Microelectronics

Транзисторы биполярные MJD122T4 ST Microelectronics

Гарантия

Доставка

Транзисторы биполярные

Артикул:

119801

Артикул скопирован!

Бренд: ST Microelectronics

Характеристики

Описание товара

Доставка и оплата

Аналоги

Технические характеристики

Тип

Составной транзистор (Дарлингтона)

Тип проводимости

NPN

Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В

100

Максимальный постоянный ток коллектора, А

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

Коэффициент усиления hFE мин.

1000

Корпус

TO-252 (DPAK)

Вес брутто

0.54

Упаковка

REEL, 2500 шт.

Способ монтажа

Поверхностный

Описание

Транзистор биполярный NPN; 100 В; 8 А; hFE 1000…; TO-252 (DPAK)

MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

Доступны следующие способы доставки заказа

Бесплатная доставка по Москве в пределах МКАД на заказы от 10 000 руб.
Транспортной компанией (отгрузим со своего склада, оплачиваете напрямую транспортной)
Самовывоз со склада Москва, ул. Верейская, д.29, стр. 134

Оплата

Безналичный расчет (для физических и юридических лиц):
Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку и отправить её нам по электронной почте.

Минимальная сумма счета 1000р.

Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем резерв товара на складе и неизменные цены.

Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств на расчетный счет ЭК ЗИП: